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參數(shù)資料
型號: 2SD2298
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管)
中文描述: 硅npn型三重擴散(三倍擴散npn型晶體管)
文件頁數(shù): 1/5頁
文件大?。?/td> 31K
代理商: 2SD2298
2SD2298
Silicon NPN Triple Diffused
Application
CTV horizontal deflection output
Features
High breakdown voltage
V
CBO
= 1500 V
Outline
1. Base
2. Collector
(Flange)
3. Emitter
TO-3P
1
2
3
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PDF描述
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2SD2318U TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4.5A I(C) | TO-252VAR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2299 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Power Bipolar Transistors
2SD2318TLU 功能描述:兩極晶體管 - BJT D-PAK;BCE NPN SMT HFE RANK U RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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2SD23210RA 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 5A NS-B1 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2329 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
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