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參數資料
型號: 2SD2322SP
英文描述: Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 32V的五(巴西)總裁| 800mA的一(c)| SPAK
文件頁數: 1/1頁
文件大小: 61K
代理商: 2SD2322SP
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PDF描述
2SD2322SQ TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SPAK
2SD2322SR TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SPAK
2SD2343N Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SD2343P TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
2SD2343Q TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
相關代理商/技術參數
參數描述
2SD2329 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD234 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-220AB 60V 3A 25W BCE
2SD2342 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3P150V 6A 50W BCE
2SD2343 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SD2345GSL 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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