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參數資料
| 型號： | 2SD2342 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 6 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 29K |
| 代理商： | 2SD2342 |
2SD2342
Silicon NPN Triple Diffused
Application
Low frequency power amplifier
Outline
1. Base
2. Collector
(Flange)
3. Emitter
TO-3P
1
2
3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ390 | 0.19 ohm, POWER, FET |
| 2SK1070C | SMALL SIGNAL, FET |
| 2SK1070E | SMALL SIGNAL, FET |
| 2SK2075 | 20 A, 250 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2938(L) | 0.07 ohm, POWER, FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD2343 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD2345GSL | 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2345JSL | 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2351T106 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SD2351T106V | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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