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參數資料
| 型號： | 2SD2343/P |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126FP |
| 封裝： | TO-126FP, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | 2SD2343/P |
2SC4132 / 2SD1857 / 2SD2343
Transistors
Power Transistor (120V, 1.5A)
2SC4132 / 2SD1857 / 2SD2343
!Features
1) High breakdown voltage. (BVCEO = 120V)
2) Low collector output capacitance.
(Typ. 20pF at VCB = 10V)
3) High transition frequency. (fT = 80MHz)
4) Complements the 2SB1236.
!
!Absolute maximum ratings
(Ta = 25
°C)
Parameter
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
Limits
120
5
2
3
0.5
2
1
150
55~+150
Unit
V
A
W
1.5
5
*1
*2
2SC4132
2SD1857
2SD2343
W (Tc = 25
°C)
°C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
*1 Single pulse Pw = 10ms
*2 When mounted on a 40 × 40 × 0.7mm ceramic board.
!
!Packaging specifications and hFE
Type
2SC4132
MPT3
PQR
CB
*
T100
1000
2SD1857
ATV
PQR
TV2
2500
2SD2343
TO-126FP
PQ
1000
* Denotes hFE
Package
hFE
Marking
Code
Basic ordering unit (pieces)
!
!External dimensions
(Units : mm)
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
ROHM : ATV
ROHM : TO-126FP
2SD2343
2SD1857
2SC4132
1.5
(1) Base(Gate)
0.4
(2) Collector(Drain)
(3) Emitter(Source)
1.5
0.4
1.6
0.5
3.0
0.4
1.5
(3)
4.5
(1)
(2)
0.5
4.0
2.5
1.0
0.45
(2) Collector
1.05
(3) Base
Taping specifications
(1) Emitter
0.5
(1)
0.65Max.
2.54
(2)
2.54
(3)
6.8
1.0
14.5
0.9
4.4
2.5
6.9
1.6
0.8
0.95
2.3
(2) Collector
(1) Emitter
(3) Base
(1)(2) (3)
2.3
10.8
1.2
1.75
1.1
16.0
7.8
0.7
1.76
C0.7
9.2
3.2
Rear
φ 3.19
Tor
φ 3.3
!
!Electrical characteristics
(Ta = 25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
fT
Cob
120
5
80
20
1
0.4
V
A
V
*
MHz
pF
IC = 50
A
IC = 1mA
IE = 50
A
VCB = 100V
VEB = 4V
IC/IB = 1A/0.1A
hFE
82
270
2SD2343
2SC4132,2SD1857
82
390
VCE/IC = 5V/0.1A
VCE = 5V , IE =
0.1A , f = 30MHz
VCB = 10V , IE = 0A , f = 1MHz
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
Output capacitance
DC current
transfer ratio
* Measured using pulse current.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2343P | 2000 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2345T | 50 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2375P | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD2384 | 7 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2384-A | 7 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD2345GSL | 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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| 2SD2351T106 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SD2351T106V | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2351T106W | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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