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參數資料
型號: 2SD2387C
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 8 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 167K
代理商: 2SD2387C
2SD2387
2004-07-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington Power Transistor)
2SD2387
Power Amplifier Applications
High breakdown voltage: VCEO = 140 V (min)
Complementary to 2SB1558
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
140
V
Collector-emitter voltage
VCEO
140
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
8
A
Base current
IB
0.1
A
Collector power dissipation
(Tc = 25°C)
PC
80
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Equivalent Circuit
Unit: mm
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-16C1A
Weight: 4.7 g (typ.)
BASE
EMITTER
≈ 100
COLLECTOR
相關PDF資料
PDF描述
2SD2387B 8 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2389 8 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3P
2SD2390 10 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3P
2SC4468 10 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3P
2SC4512 6 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
相關代理商/技術參數
參數描述
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2SD2390 制造商:Allegro MicroSystems 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-3P
2SD2391T100 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
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