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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2441 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification) |
| 中文描述： | 1500 mA, 10 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | MINIP3-F1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 36K |
| 代理商： | 2SD2441 |
1
Transistor
2SD2441
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency output amplification
I
Features
G
Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment
and automatic insertion through the tape packing and the maga-
zine packing.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Base
2:Collector
3:Emitter
EIAJ:SC–62
Mini Power Type Package
4.5
±
0.1
1.6
±
0.2
2
±
0
2
±
0
0
1
+
–
4
+
–
3.0
±
0.15
1.5
±
0.1
0.4
±
0.08
0.5
±
0.08
1.5
±
0.1
0.4
±
0.04
45
°
marking
3
2
1
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C*
T
j
T
stg
Ratings
10
10
7
2
1.5
1
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
A
A
W
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Forward voltage
Symbol
I
CBO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE
V
CE(sat)
f
T
C
ob
V
F*1
Conditions
V
CB
= 7V, I
E
= 0
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= 1mA, I
B
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= 1V, I
C
= 400mA
*2
I
C
= 1A, I
B
= 25mA
*2
V
CB
= 60V, I
E
= –50mA, f = 200MHz
V
CB
= 10V, I
E
= 0, f = 1MHz
I
F
= 500mA
min
10
10
7
200
typ
0.17
190
50
max
1
700
0.25
1.3
Unit
μ
A
V
V
V
V
MHz
pF
V
*1
Applicable to the built-in diode.
*2
Pulse measurement
*
Printed circuit board: Copper foil area of 1cm
2
or more, and the board
thickness of 1.7mm for the collector portion
Marking symbol :
1V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SD244100L | 功能描述:TRANS NPN LF 10VCEO 1.5A MINIPWR RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2444KT146 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SD2444KT146R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 15V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD245300L | 功能描述:TRANS NPN 60VCEO 2A U-G2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD24570QL | 功能描述:TRANS NPN 40VCEO 1.5A MINI PWR RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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