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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2444KT146R |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SMT3, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | 2SD2444KT146R |
2SD2444K
Transistors
Rev.A
1/2
Power Transistor (15V, 1A)
2SD2444K
Features
1) Low saturation voltage, VCE(sat) =0.3V (Max.)
at IC / IB = 0.4A / 20mA.
2) IC = 1A
3) Complements the 2SB1590K.
Packaging specification and hFE
Type
2SD2444K
SMT3
R
BS
T146
3000
Denotes hFE
Package
hFE
Marking
Code
Basic ordering unit (pieces)
External dimensions (Unit : mm)
Each lead has same dimensions
SMT3
(1)Emitter
(2)Base
(3)Collector
(2)
(1)
2.8
1.6
0.4
(3)
2.9
1.9
0.95
0.8
0.15
0.3Min.
1.1
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
15
V
A (DC)
W
15
6
1
0.2
150
55 to +150
Symbol
Limits
Unit
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
°C
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
fT
Cob
Min.
15
6
200
15
0.5
0.3
V
IC
=50A
IC
=1mA
IE
=50A
VCB
=12V
VEB
=5V
IC
=400mA, IB=20mA
VCE
=2V, IE= 50mA, f=100MHz
VCB
=10V, IE=0A, f=1MHz
V
A
hFE
180
390
VCE
/IC
=2V/50mA
V
MHz
pF
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
DC current transfer ratio
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
Output capacitance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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