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參數資料
| 型號： | 2SD2465AP |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 4 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-220E, FULL PACK-3 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 171K |
| 代理商： | 2SD2465AP |
1
Power Transistors
2SD2465, 2SD2465A
Silicon NPN epitaxial planar type
For low-voltage switching
Complementary to 2SB1603
s Features
q
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)
q
High-speed switching
q
Full-pack package superior in insulation, which can be installed
to the heat sink with one screw
s Absolute Maximum Ratings (T
C=25C)
Parameter
Collector to
base voltage
Collector to
emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
ICP
IC
PC
Tj
Tstg
Ratings
40
50
20
40
5
8
4
25
2
150
–55 to +150
Unit
V
A
W
C
2SD2465
2SD2465A
2SD2465
2SD2465A
TC=25°C
Ta=25
°C
s Electrical Characteristics (T
C=25C)
Parameter
Collector cutoff
current
Emitter cutoff current
Collector to emitter
voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Turn-on time
Storage time
Fall time
Symbol
ICBO
IEBO
VCEO
hFE1
hFE2
*
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
ton
tstg
tf
Conditions
VCB = 40V, IE = 0
VCB = 50V, IE = 0
VEB = 5V, IC = 0
IC = 10mA, IB = 0
VCE = 2V, IC = 0.1A
VCE = 2V, IC = 1A
IC = 2A, IB = 0.1A
VCE = 5V, IC = 0.5A, f = 10MHz
IC = 2A, IB1 = 0.2A, IB2 = – 0.2A,
VCC = 20V
min
20
40
45
90
typ
120
0.2
0.5
0.1
max
50
260
0.5
1.5
Unit
A
V
MHz
s
2SD2465
2SD2465A
2SD2465
2SD2465A
*h
FE2 Rank classification
Rank
Q
P
hFE2
90 to 180
130 to 260
Unit: mm
1:Base
2:Collector
3:Emitter
TO–220E Full Pack Package
9.9
±0.3
23
1
4.6
±0.2
2.9
±0.2
2.6
±0.1
2.54
±0.2
0.75
±0.1
1.2
±0.15
5.08
±0.4
15.0
±0.3
13.7
+0.5
–0.2
φ3.2±0.1
3.0
±0.2
8.0
±0.2
4.1
±0.2
Solder
Dip
1.45
±0.15
0.7
±0.1
7
°
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
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http://panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2467Q | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2478 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP |
| 2SD2479R | 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2479S | 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2480 | 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD247 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 80V 5A 50W BEC |
| 2SD2470TP | 功能描述:達林頓晶體管 NPN 10V 5A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SD24790RA | 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 2A MT-3 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2480(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SD2495 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR FM20 110V 6A 30W BCE |
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