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參數資料
| 型號： | 2SD2504 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN epitaxial planar type |
| 中文描述： | 5000 mA, 10 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TO-92-B1, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 82K |
| 代理商： | 2SD2504 |
Transistors
2SD2504
Silicon NPN epitaxial planar type
1
Publication date: February 2003
SJC00267DED
For low-frequency power amplification
■
Features
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
Large collector current I
C
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
15
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
10
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
C
10
V
Collector current
5
A
Peak collector current
*
I
CP
9
A
Collector power dissipation
P
C
T
j
750
mW
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
I
C
=
1 mA, I
E
=
0
I
C
=
10
μ
A, I
B
=
0
V
CB
=
10 V, I
E
=
0
V
CE
=
5 V, I
B
=
0
V
EB
=
5 V, I
E
=
0
V
CE
= 2 V, I
C
= 0.5 A
10
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
I
CBO
10
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
0.1
μ
A
μ
A
μ
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
I
CEO
1.0
Emitter-base cutoff current (Collector open)
I
EBO
h
FE1
0.1
Forward current transfer ratio
*
300
800
h
FE2
V
CE
= 2 V, I
C
= 2 A
I
C
=
3 A, I
B
=
0.1 A
V
CB
=
6 V, I
E
=
50 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
20 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
195
Collector-emitter saturation voltage
*
V
CE(sat)
f
T
C
ob
0.28
0.50
V
Transition frequency
170
MHz
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
45
65
pF
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Unit: mm
4.0
±
0.2
5.0
±
0.2
0.7
±
0.1
0.45
+0.15
2.5
+0.6
0.45
+0.15
2.5
1
2 3
+0.6
5
±
0
1
±
0
2
±
0
0
±
0
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
TO-92-B1 Package
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2.*: Pulse measurement
Note)*: t
=
380
μ
s
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