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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2621G |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 20 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SSSMINI3-F2, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 231K |
| 代理商： | 2SD2621G |
Transistors
1
Publication date: June 2007
SJC00410AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
2SD2621G
Silicon NPN epitaxial planar type
For low-frequency driver amplification
■ Features
High forward current transfer ratio h
FE
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
High emitter-base voltage (Collector open) V
EBO
■ Absolute Maximum Ratings T
a
= 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
100
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
100
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
15
V
Collector current
IC
20
mA
Peak collector current
ICP
50
mA
Collector power dissipation
PC
100
mW
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +125
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
IC = 10 A, IE = 0
100
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
IC = 1 mA, IB = 0
100
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
IE
= 10 A, I
C
= 015
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
ICBO
VCB = 60 V, IE = 0
0.1
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
ICEO
VCE = 60 V, IB = 0
1.0
A
Forward current transfer ratio
hFE
VCE = 10 V, IC = 2 mA
400
1 200
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC = 10 mA, IB = 1 mA
0.05
0.20
V
Transition frequency
fT
VCB = 10 V, IE = 2 mA, f = 200 MHz
200
MHz
Noise voltage
NV
VCE = 10 V, IC = 1 mA, GV = 80 dB
80
mV
Rg = 100 k, Function = FLAT
■ Electrical Characteristics T
a = 25°C ± 3°C
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
■ Package
Code
SSSMini3-F2
Marking Symbol: 3B
Pin Name
1: Base
2: Emitter
3: Collector
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
visit
following
URL
about
latest
information.
http://panasonic.net/sc/en
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2623T | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2623S | 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2624 | 6 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2627 | 6 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD2633 | 8 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2621G0L | 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD262300L | 功能描述:TRANS NPN AF AMP 20VCEO SMINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2623G0L | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 500MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD2624 | 制造商:SANYO 功能描述:NPN 800V 6A 10 to - TO-3PMLH Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSNPN800V0.06ATO-3PMLH 制造商:Sanyo 功能描述:Trans GP BJT NPN 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-3PMLH |
| 2SD2634-CA | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
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