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參數資料
| 型號： | 2SD2642 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 進步黨外延硅平面晶體管 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SD2642 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1691 | Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier |
| 2SB1691WL | Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier |
| 2SB1693 | Silicon PNP epitaxial planar type |
| 2SB177 | GE PNP ALLOY JUNCTION |
| 2SB172 | GE PNP ALLOY JUNCTION |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD2643 | 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:TRANS NPN DARL 110V 6A TO3PF |
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| 2SD2652T106 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2653KT146 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2653TL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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