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參數(shù)資料
型號(hào): 2SD2686
元件分類(lèi): 功率晶體管
英文描述: 1 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: LEAD FREE, SC-62, 2-5K1A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 1/5頁(yè)
文件大小: 171K
代理商: 2SD2686
2SD2686
2004-08-26
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Power)
2SD2686
Solenoid Drive Applications
Motor Drive Applications
High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 A, IC = 1 A)
Zener diode included between collector and base
Maximum Ratings (Ta
= 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
50
V
Collector-emitter voltage
VCEO
60
±10
V
Emitter-base voltage
VEBO
8
V
DC
IC
1
Collector current
Pulse
ICP
3
A
Base current
IB
0.5
A
DC
1.0
Collector power
dissipation
t
= 10 s
PC (Note)
2.5
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Note: Mounted on an FR4 board (glass-epoxy; 1.6 mm thick; Cu area,
645 mm
2)
Equivalent Circuit
Unit: mm
JEDEC
JEITA
SC-62
TOSHIBA
2-5K1A
Weight: 0.05 g (typ.)
Emitter
Collector
Base
≒5k
≒300
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2702TL 1500 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2703TL 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2716 6 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2721 12 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD366 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2686(TE12L,F) 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Darlington Trans. NPN 60V 1A hfe2000min.
2SD2695(F) 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Bulk
2SD2695(T6CANO,A,F 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SD2695(T6CANO,F,M 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SD2695(T6CNO,A,F) 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):2000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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