- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄49984 > 2SD2686 1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD2686 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, SC-62, 2-5K1A, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/5頁(yè) |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | 2SD2686 |
2SD2686
2006-11-21
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Power)
2SD2686
Solenoid Drive Applications
Motor Drive Applications
High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 A, IC = 1 A)
Zener diode included between collector and base
Absolute Maximum Ratings (Ta
= 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
50
V
Collector-emitter voltage
VCEO
60
±10
V
Emitter-base voltage
VEBO
8
V
DC
IC
1
Collector current
Pulse
ICP
3
A
Base current
IB
0.5
A
DC
1.0
Collector power
dissipation
t
= 10 s
PC (Note 1)
2.5
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Note 1: Mounted on an FR4 board (glass-epoxy; 1.6 mm thick; Cu area,
645 mm
2)
Note 2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of
high temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Equivalent Circuit
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-62
TOSHIBA
2-5K1A
Weight: 0.05 g (typ.)
Emitter
Collector
Base
≒5k
≒300
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2688LS | 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD2695 | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2701TL | 2000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2704KT146 | 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2714 | 2000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2686(TE12L,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Darlington Trans. NPN 60V 1A hfe2000min. |
| 2SD2695(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Bulk |
| 2SD2695(T6CANO,A,F | 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SD2695(T6CANO,F,M | 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SD2695(T6CNO,A,F) | 功能描述:TRANS NPN 2A 60V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。