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參數資料
| 型號： | 2SD2695 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Power Transistor) |
| 中文描述： | npn型硅外延式（達林頓功率晶體管） |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 138K |
| 代理商： | 2SD2695 |
2SD2695
2006-11-21
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Power Transistor)
2SD2695
Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications
Switching Applications
Power Amplifier Applications
High DC current gain: h
FE
= 2000 (min) (V
CE
= 2 V, I
C
= 1 A)
Low saturation voltage: V
CE (sat)
= 1.5 V (max) (I
C
= 1 A, I
B
= 1 mA)
Zener diode included between collector and base
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
60 ± 10
V
Emitter-base voltage
V
EBO
8
V
Collector current
I
C
2
A
Base current
I
B
0.5
A
Collector power dissipation
P
C
0.9
W
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
55 to 150
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
Equivalent Circuit
Unit: mm
JEDEC
TO-92MOD
JEITA
―
TOSHIBA
2-5J1A
Weight: 0.36 g (typ.)
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈
4 k
≈
800
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