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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD314C |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 60V的五（巴西）總裁| 3A條一（c）| TO - 220AB現(xiàn)有 |
| 文件頁數(shù)： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 1026K |
| 代理商： | 2SD314C |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD314D | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
| 2SD314E | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
| 2SD314F | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
| 2SD313 | POWER TRANSISTORS(3A,60V,30W) |
| 2SD313 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD314D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
| 2SD314E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
| 2SD314F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
| 2SD315 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTORTO-66 60V 4A 35W BEC |
| 2SD315AI | 制造商:Power Integrations 功能描述:IC IGBT DRIVER 1200V 15A PCB 制造商:CT CONCEPT 功能描述:IC, IGBT DRIVER, 1200V, 15A, PCB 制造商:Power Integrations 功能描述:IC, IGBT DRIVER, 1200V, 15A, PCB; Device Type:IGBT, MOSFET; Module Configuration:Dual; Peak Output Current:15A; Supply Voltage Max:15V; Driver Case Style:(Not Available); No. of Pins:44; Input Delay:300ns; Output Delay:350ns ;RoHS Compliant: Yes 制造商:Power Integrations 功能描述:IC, IGBT DRIVER, 1200V, 15A, PCB; Device Type:IGBT, MOSFET; Module Configuration:Dual; Peak Output Current:15A; Supply Voltage Max:15V; No. of Pins:44; Input Delay:300ns; Output Delay:350ns; Operating Temperature Min:-40C ;RoHS Compliant: Yes |
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