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參數資料
| 型號： | 2SH11 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel IGBT |
| 中文描述： | 硅N溝道IGBT的 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | 2SH11 |
Application
High speed power switching
Features
High speed switching
Low on saturation voltage
Table 1 Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
———————————————————————————————————————————
Collector to emitter voltage
V
CES
———————————————————————————————————————————
Gate to emitter voltage
V
GES
———————————————————————————————————————————
Collector current
I
C
———————————————————————————————————————————
Collector peak current
ic(peak)
———————————————————————————————————————————
Collector dissipation
P
C
*
———————————————————————————————————————————
Channel temperature
T
j
———————————————————————————————————————————
Storage temperature
Tstg
———————————————————————————————————————————
* Value at Tc = 25°C
Symbol
Ratings
Unit
600
V
±20
V
10
A
20
A
50
W
150
°C
–55 to +150
°C
1
2
3
TO–220AB
1
2
3
1. Gate
2. Collector
3. Emitter
1
2SH11
Silicon N-Channel IGBT
1st. Edition
Feb. 1995
ADE–208–274 (Z)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SH12 | Silicon N-Channel IGBT |
| 2SH13 | Silicon N-Channel IGBT |
| 2SH14 | Silicon N-Channel IGBT |
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| 2SH16 | Silicon N-Channel IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SH12 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel IGBT |
| 2SH13 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel IGBT |
| 2SH14 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel IGBT |
| 2SH15 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel IGBT |
| 2SH16 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel IGBT |
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