- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄371534 > 2SJ0536 (PANASONIC CORP) Silicon P-Channel MOS FET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SJ0536 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon P-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 100 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 31K |
| 代理商： | 2SJ0536 |
1
Silicon MOS FETs (Small Signal)
2SJ 0536
Silicon P-Channel MOS FET
unit: mm
Secondary battery pack (Li ion battery, etc.)
For switching
I
Features
G
High-speed switching
G
S-mini type package, allowing downsizing of the sets and auto-
matic insertion through the tape/magazine packing.
G
Low-voltage drive (V
th
:
1 to 2V)
G
Low Ron
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Parameter
Drain to Source voltage
Gate to Source voltage
Drain current
Max drain current
Allowable power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Symbol
V
DS
V
GSO
I
D
I
DP
P
D
T
ch
T
stg
Ratings
30
±20
100
200
150
150
55 to +150
Unit
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
I
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Parameter
Drain current
Gate cut-off current
Gate threshold voltage
Forward transfer admittance
Drain to source ON-resistance
Turn-on time
Turn-off time
Symbol
I
DSS
I
GSS
V
th
| Y
fs
|
R
DS(on)
t
on
t
off
Conditions
V
DS
=
30V, V
GS
= 0
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0
V
DS
=
5V, I
D
=
1
μ
A
V
DS
=
5V, I
D
=
10mA
V
GS
=
5V, I
D
=
10mA
V
DD
=
5V, V
GS
=
5 to 0V, R
L
= 200
V
DD
=
5V, V
GS
=
5 to 0V, R
L
= 200
min
1
8
typ
50
100
25
Unit
μ
A
μ
A
V
mS
μ
s
μ
s
Marking Symbol: 2C
max
0.1
±1
2
75
1: Gate
2: Source
3: Drain
EIAJ: SC-70
S-Mini Type Package (3-pin)
2.1±0.1
1
0
0
0
+
–
0
+
–
2
1.25±0.1
0.425
0.425
1
3
2
0
0
0
0
0.2±0.1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ103 | P CHANNEL JUNCTION TYPE (FOR AUDIO AMPLIFIER , ANALOG SWITCH, CONSTANT CURRENT AND IMPEDANCE CONVERTER APPLICATIONS) |
| 2SJ104 | P CHANNEL JUNCTION TYPE (FOR AUDIO AMPLIFIER, ANALOG SWITCH, CONSTANT CURRENT AND IMPEDANCE CONVERTER APPLICATIONS) |
| 2SJ105 | P CHANNEL JUNCTION TYPE (FOR AUDIO AMPLIFIER, ANALOG SWITCH, CONSTANT CURRENT AND IMPEDANCE CONVERTER APPLICATIONS) |
| 2SJ106 | P CHANNEL JUNCTION TYPE (AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 2SJ107 | P CHANNEL JUNCTION TYPE (FOR AUDIO AMPLIFIER, ANALOG SWITCH, CONSTANT CURRENT AND IMPEDANCE CONVERTER APPLICATIONS) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SJ053600L | 功能描述:MOSFET P-CH 30V .1A S-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SJ0536G0L | 功能描述:MOSFET P-CH 30V .1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SJ0582 | 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Silicon P-channel power MOSFET |
| 2SJ058200L | 功能描述:MOSFET P-CH 200V 2A U-G2 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SJ067400L | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。