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參數資料

Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 5

2SJ160, 2SJ161, 2SJ162

Silicon P Channel MOS FET

REJ03G0847-0200

(Previous: ADE-208-1182)

Rev.2.00

Sep 07, 2005

Description

Low frequency power amplifier

Complementary pair with 2SK1056, 2SK1057 and 2SK1058

Features

Good frequency characteristic

High speed switching

Wide area of safe operation

Enhancement-mode

Good complementary characteristics

Equipped with gate protection diodes

Suitable for audio power amplifier

Outline

RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A

(Package name: TO-3P)

1. Gate

2. Source (Flange)

3. Drain

相關PDF資料	PDF描述
2SJ164O	20 mA, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SJ166-A	100 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2SJ166	100 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2SJ166-A	100 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2SJ168(TE85L,F)	200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236

相關代理商/技術參數	參數描述
2SJ162	功能描述:MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P RoHS:否類別:分離式半導體產品 >> FET - 單系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ162-E	功能描述:MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P RoHS:是類別:分離式半導體產品 >> FET - 單系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ163	制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:For General Switching
2SJ164	制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:For Switching
2SJ165	制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR

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