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參數資料
| 型號： | 2SJ161 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅P溝道場效應晶體管 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | 2SJ161 |
2SJ160, 2SJ161, 2SJ162
Silicon P-Channel MOS FET
Application
Low frequency power amplifier
Complementary pair with 2SK1056, 2SK1057 and 2SK1058
Features
Good frequency characteristic
High speed switching
Wide area of safe operation
Enhancement-mode
Good complementary characteristics
Equipped with gate protection diodes
Suitable for audio power amplifier
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ162 | Silicon P-Channel MOS FET |
| 2SJ171 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SJ173 | SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING |
| 2SJ174 | SILICON P-CHANNEL MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING |
| 2SJ175 | Silicon P-Channel MOS FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SJ161(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SJ161-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ162 | 功能描述:MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SJ162-E | 功能描述:MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SJ163 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:For General Switching |
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