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參數資料
| 型號： | 2SJ389(L) |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-251AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 60V的五（巴西）直| 10A條（丁）|對251AA |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | 2SJ389(L) |
2SJ387(L), 2SJ387(S)
Silicon P-Channel MOS FET
ADE-208-1196 (Z)
1st. Edition
Mar. 2001
Application
High speed power switching
Features
Low on-resistance
Low drive current
2.5 V Gate drive device can be driven from 3 V Source
Suitable for Switching regulator, DC - DC converter
Outline
1
2
3
1
2
3
4
DPAK-2
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
D
G
S
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ389(S) | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SJ389L | |
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| 2SJ55 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SJ56 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-3 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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