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參數資料
型號: 2SJ403
英文描述: Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
中文描述: 晶體管| MOSFET的| P通道| 200伏五(巴西)直| 5A條(丁)| TO - 220AB現有
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代理商: 2SJ403
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PDF描述
2SJ404 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-220AB
2SJ405 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SJ408(L) TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | SOT-199VAR
2SJ408(S) Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SJ408L
相關代理商/技術參數
參數描述
2SJ404 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-220AB
2SJ405 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB
2SJ406 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P- Channel Silicon MOS FET Very High-Speed Switching Applications
2SJ407 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 200V 5A 3PIN TO-220(NIS) - Rail/Tube
2SJ407(F) 功能描述:MOSFET MOSFET P-Ch 200V 5A Rdson 1 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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