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參數(shù)資料
型號(hào): 2SJ476-01S
英文描述: Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
中文描述: 晶體管| MOSFET的| P通道| 60V的五(巴西)直|第25A條(丁)|對252VAR
文件頁數(shù): 1/9頁
文件大小: 45K
代理商: 2SJ476-01S
2SJ479(L), 2SJ479(S)
Silicon P Channel DV–L MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-541 (Z)
1st. Edition
Sep. 1997
Features
Low on-resistance
R
DS(on) = 25 m typ.
4V gate drive devices.
High speed switching
Outline
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
1
2
3
4
1
2
3
4
LDPAK
G
D
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK11 TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 6.5MA I(DSS) | TO-17
2SK1101-01M Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK1102-01M TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-218VAR
2SK1103O TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 200UA I(DSS) | TO-236
2SK1103P Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
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參數(shù)描述
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2SJ477-01MR_06 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:P-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SJ477-01MRSC-P 制造商:Fuji Electric 功能描述:
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2SJ479 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET
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