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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ648 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 400 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | USM, SC-75, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 263K |
| 代理商： | 2SJ648 |
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Old Company Name in Catalogs and Other Documents
On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology
Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both
companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid
Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
Renesas Electronics website: http://www.renesas.com
April 1st, 2010
Renesas Electronics Corporation
Issued by:
Renesas Electronics Corporation (http://www.renesas.com)
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ660-TL | 26 A, 60 V, 0.094 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ667 | 42 A, 100 V, 0.074 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ667 | 42 A, 100 V, 0.074 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ74 | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2SJ74-BL | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SJ648-T1-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SC-75 T/R Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Pch MOSFET,20V,0.4A,1.17ohm,USM3 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SC-75 T/R |
| 2SJ649 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 2SJ649-AZ | 功能描述:MOSFET P-CH -60V -20A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SJ650 | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 12A TO-220ML RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SJ651 | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 20A TO-220ML RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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