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參數(shù)資料
型號: 2SJ652
廠商: ON Semiconductor
文件頁數(shù): 1/7頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 100
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 28A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 38 毫歐 @ 14A,10V
閘電荷(Qg) @ Vgs: 80nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4360pF @ 20V
功率 - 最大: 2W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-220ML
包裝: 散裝
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