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參數資料
| 型號： | 2SK032 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | 2SK032 |
2SK1056, 2SK1057, 2SK1058
Silicon N-Channel MOS FET
Application
Low frequency power amplifier
Complementary pair with 2SJ160, 2SJ161 and 2SJ162
Features
Good frequency characteristic
High speed switching
Wide area of safe operation
Enhancement-mode
Good complementary characteristics
Equipped with gate protection diodes
Suitable for audio power amplifier
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK0374(2SK374) | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK1056 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1057 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1058 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK0601(2SK601) | 小信號デバイス － 小信號FET － MOS FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK0374(2SK374) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2SK0374 (2SK374) - N-Channel Junction FET |
| 2SK0601 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK0601(2SK601) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:小信號デバイス － 小信號FET － MOS FET |
| 2SK060100L | 功能描述:MOSFET N-CH 80V 500MA MINI-PWR RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK0601G0L | 功能描述:MOSFET N-CH 80V .5A MINIP-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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