欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: 2SK0664(2SK664)
英文描述: 小信號デバイス - 小信號FET - MOS FET
中文描述: 小信號デバイス-小信號場效應管-場效應晶體管
文件頁數: 1/3頁
文件大?。?/td> 195K
代理商: 2SK0664(2SK664)
MOSFET (
)
1
: 200
28
SJF00018BJD
2SK0601
(2SK601)
N
MOS
I
CMOS, TTL
R
DS(on)
I
T
a
=
25
°
C
Unit : mm
1
:
Gate
2
:
Drain
3
:
Source
MiniP3-F1 Package
I
T
a
=
25
°
C
I
DSS
V
DS
=
60
V, V
GS
=
0
V
GS
=
20
V, V
DS
=
0
I
DS
=
100
μ
A, V
GS
=
0
I
D
=
1 mA, V
DS
=
V
GS
I
D
=
0.5 A, V
GS
=
10 V
I
D
=
0.2 A, V
DS
=
15 V, f
=
1 kHz
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0, f
=
1 MHz
10
μ
A
μ
A
I
GSS
V
DSS
V
th
0.1
80
V
1.5
3.5
V
*1
R
DS(on)
Y
fs
C
iss
2
4
300
mS
(
)
45
pF
(
)
C
oss
C
rss
t
on
30
pF
(
)
8
pF
*2
*2
15
ns
t
off
20
ns
V
DS
V
GSO
I
D
80
V
20
V
±
0.5
±
1
A
I
DP
P
D
T
ch
A
*
1
W
150
°
C
°
C
T
stg
55
~ +
150
) *1 :
*2 : t
on
, t
off
: O
) * :
:
1 cm
2
,
1.7 mm
)
( )
,
V
in
=
10 V
t
=
1
μ
S
f
=
1 MHz
50
68
t
on
t
off
V
in
10%
90%
10%
90%
V
out
V
in
V
out
V
DD
=
30 V
V
out
4.5
±0.1
1.6
±0.2
3.0
±0.15
45
°
2
±
0
1.5
±0.1
4
2
±
3
°
+
1
+
0.5
±0.08
0.4
±0.04
0.4
±0.08
1
2
3
1.5
±0.1
3
°
相關PDF資料
PDF描述
2SK0665(2SK665) Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK1065 High-Frequency General-Purpose Amp Applications
2SK1093 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK1094 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK1095 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
相關代理商/技術參數
參數描述
2SK0664G0L 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK0665 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon MOS FETs
2SK0665(2SK665) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2SK0665 (2SK665) - N-Channel MOS FET
2SK066500L 功能描述:MOSFET N-CH 20V 100MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK0665G0L 功能描述:MOSFET N-CH 20V .1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
主站蜘蛛池模板: 凤庆县| 和平区| 冕宁县| 尉犁县| 巴塘县| 腾冲县| 花莲县| 怀远县| 鄂托克旗| 石狮市| 台北市| 仁怀市| 巴彦县| 福州市| 兴城市| 孝感市| 双江| 平安县| 怀柔区| 滨州市| 阿巴嘎旗| 舟曲县| 镇平县| 宽城| 定边县| 伊宁市| 冀州市| 永胜县| 长岭县| 红河县| 邢台县| 沙雅县| 布拖县| 淄博市| 蓝山县| 阿合奇县| 永安市| 安乡县| 牙克石市| 塔河县| 稻城县|