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參數資料
| 型號： | 2SK1103 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Junction FET |
| 中文描述： | 20 mA, 65 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 31K |
| 代理商： | 2SK1103 |
1
Silicon Junction FETs (Small Signal)
2SK1103
Silicon N-Channel J unction FET
unit: mm
For switching
Complementary to 2SJ 163
I
Features
G
Low ON-resistance
G
Low-noise characteristics
1: Source
2: Drain
3: Gate
JEDEC: TO-236
EIAJ: SC-59
Mini Type Package (3-pin)
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Parameter
Gate to Drain voltage
Drain current
Gate current
Allowable power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Symbol
V
GDS
I
D
I
G
P
D
T
ch
T
stg
Ratings
65
20
10
150
150
55 to +150
Unit
V
mA
mA
mW
°C
°C
I
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Parameter
Drain to Source cut-off current
Gate to Source leakage current
Gate to Drain voltage
Gate to Source cut-off voltage
Forward transfer admittance
Drain to Source ON-resistance
Input capacitance (Common Source)
Reverse transfer capacitance (Common Source)
Symbol
I
DSS*
I
GSS
V
GDS
V
GSC
| Y
fs
|
R
DS(on)
C
iss
C
rss
Conditions
V
DS
= 10V, V
GS
= 0
V
GS
=
30V, V
DS
= 0
I
G
=
10
μ
A, V
DS
= 0
V
DS
= 10V, I
D
= 10
μ
A
V
DS
= 10V, I
D
= 1mA, f = 1kHz
V
DS
= 10mV, V
GS
= 0
V
DS
= 10V, V
GS
= 0, f = 1MHz
min
0.2
65
1.8
max
6
10
3.5
Unit
mA
nA
V
V
mS
pF
pF
*
I
DSS
rank classification
Marking Symbol (Example): 4L
2.8
+0.2
–0.3
1.5
+0.25
–0.05
0.65±0.15
0.65±0.15
3
1
2
0
0
1
0
+
–
1
+
–
0
0.4±0.2
0
0
+
–
1
0.1 to 0.3
2
+
–
typ
1.5
2.5
300
7
1.5
Runk
I
DSS
(mA)
Marking Symbol
O
0.2 to 1
4LO
P
0.6 to 1.5
4LP
Q
1 to 3
4LQ
R
2.5 to 6
4LR
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1104 | Silicon N-Channel Junction FET |
| 2SK1113 | 2SK1113 |
| 2SK1117 | 2SK1117 |
| 2SK1118 | N Channel MOS Type(for High Speed, High Current DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Diver) |
| 2SK1119 | N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING, DC-DC CONVERTER AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK11030QL | 功能描述:JFET N-CH 65V 20MA MINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> JFET（結點場效應 系列:- 標準包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關）@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應商設備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
| 2SK1103O | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 200UA I(DSS) | TO-236 |
| 2SK1103P | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 600UA I(DSS) | TO-236 |
| 2SK1103Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 1MA I(DSS) | TO-236 |
| 2SK1103R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 2.5MA I(DSS) | TO-236 |
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