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參數資料
| 型號： | 2SK1362 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-247VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 900V五（巴西）直| 5A條（?。﹟對247VAR |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 39K |
| 代理商： | 2SK1362 |
2SK1313(L)(S), 2SK1314(L)(S)
Silicon N-Channel MOS FET
ADE-208-1266 (Z)
1st. Edition
Mar. 2001
Application
High speed power switching
Features
Low on-resistance
High speed switching
Low drive current
No secondary breakdown
Suitable for switching regulator and DC-DC converter
Outline
3
2
1
4
3
2
1
4
LDPAK
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
D
G
S
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1371 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK1372 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-3 |
| 2SK1375 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK1505MR | MOSFET |
| 2SK1507-01M | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK1363 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SK1365 | 功能描述:MOSFET N-CH 1KV 7A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK1365(F) | 功能描述:MOSFET N-ch 1000V 7A 1.5 ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK1365_06 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS Type Switching Power Supply Applications |
| 2SK1365_09 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Switching Power Supply Applications |
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