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參數資料
型號: 2SK216-E
元件分類: JFETs
英文描述: 0.5 A, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝: SC-46, 3 PIN
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 65K
代理商: 2SK216-E
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 5
2SK213, 2SK214, 2SK215, 2SK216
Silicon N Channel MOS FET
REJ03G0903-0200
(Previous: ADE-208-1241)
Rev.2.00
Sep 07, 2005
Application
High frequency and low frequency power amplifier, high speed switching.
Complementary pair with 2SJ76, J77, J78, J79
Features
Suitable for direct mounting
High forward transfer admittance
Excellent frequency response
Enhancement-mode
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004AC-A
(Package name: TO-220AB)
1. Gate
2. Source
(Flange)
3. Drain
1
2
3
D
G
S
相關PDF資料
PDF描述
2SK2131-AZ 15 A, 150 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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2SK2132-AZ 4 A, 180 V, 0.65 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2132 4 A, 180 V, 0.65 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2135-AZ 14 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
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2SK217 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Junction FET
2SK2170 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Impedance Converter Applications
2SK2171 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:High-Frequency, High-Frequency Amp Analog Switch Applications
2SK2173 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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