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參數資料
| 型號： | 2SK2220 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | 2SK2220 |
2SK2220, 2SK2221
Silicon N-Channel MOS FET
November 1996
Application
Low frequency power amplifier
Complementary pair with 2SJ351, 2SJ352
Features
High power gain
Excellent frequency response
High speed switching
Wide area of safe operation
Enhancement-mode
Good complementary characteristics
Equipped with gate protection diodes
Outline
1
2
3
TO-3P
1. Gate
2. Source
(Flange)
3. Drain
D
G
S
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2221 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK2220-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 180V 8A 3PIN TO-3P - Rail/Tube 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 180V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube Tray 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET N TO-3P 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 180V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
| 2SK2221 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 8A 3PIN TO-3P - Rail/Tube |
| 2SK2221-E | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2222 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-247VAR |
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