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參數資料
| 型號： | 2SK2247 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數： | 3/7頁 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | 2SK2247 |
2SK2247
3
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Drain to source breakdown
voltage
V
(BR)DSS
30
—
—
V
I
D
= 1 mA, V
GS
= 0
Gate to source breakdown
voltage
V
(BR)GSS
±
20
—
—
V
I
G
=
±
10
μ
A, V
DS
= 0
Gate to source leak current
I
GSS
—
—
±
5
1
μ
A
μ
A
V
V
GS
=
±
16 V, V
DS
= 0
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0
I
D
= 100
μ
A, V
DS
= 10 V
I
D
= 1 A
V
GS
= 4 V*
I
D
= 1 A
V
GS
= 10 V*
I
D
= 1 A
V
DS
= 10 V*
V
DS
= 10 V
V
= 0
f = 1 MHz
Zero gate voltage drain current I
DSS
Gate to source cutoff voltage
—
—
V
GS(off)
R
DS(on)
1.0
1.5
2.0
Static drain to source on state
resistance
—
0.3
0.45
1
—
0.22
0.35
1
Forward transfer admittance
|y
fs
|
1.5
1.9
—
S
1
Input capacitance
Ciss
—
177
—
pF
Output capacitance
Coss
—
116
—
pF
Reverse transfer capacitance
Crss
—
43
—
pF
Turn-on delay time
t
d(on)
—
8
—
ns
I
D
= 1 A
V
GS
= 10 V
R
= 30
PW = 2
μ
s
Rise time
t
r
t
d(off)
t
f
—
14
—
ns
Turn-off delay time
—
37
—
ns
Fall time
Note
—
33
—
ns
1. Pulse Test
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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