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參數(shù)資料
型號: 2SK2393
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
中文描述: 硅N溝道場效應(yīng)晶體管(不適用溝道MOSFET的)
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大小: 53K
代理商: 2SK2393
2SK2393
7
10
8
6
4
2
0
Source to Drain Voltage V (V)
R
D
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Pulse Test
V = 0, –5 V
10 V
5 V
Vin Monitor
D.U.T.
Vin
10 V
R
L
V
= 30 V
DD
tr
td(on)
Vin
90%
90%
10%
10%
Vout
td(off)
Vout
Monitor
50
90%
10%
t
f
Switching Time Test Circuit
Waveform
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK2394 N-Channel Junction Silicon FET for Low-Noise HF Amplifier Applications(低噪聲 HF放大器應(yīng)用的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
2SK2395 N-Channel Junction Silicon FET for Low-Noise HF Amplifier Applications(低噪聲 HF放大器應(yīng)用的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
2SK2418 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK2418L Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK2418S Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK2393-E 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 1.5KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL
2SK2394 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low-Noise HF Amp Applications
2SK2394_12 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Junction Silicon FET Low-Noise HF Amplifi er Applications
2SK2394-6-TB-E 功能描述:JFET N-CH 15V 50MA CP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> JFET(結(jié)點場效應(yīng) 系列:- 標準包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān))@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS(開):200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商設(shè)備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW
2SK2394-7-TB-E 功能描述:JFET NCH J-FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
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