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參數資料
型號: 2SK2394
廠商: Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述: N-Channel Junction Silicon FET for Low-Noise HF Amplifier Applications(低噪聲 HF放大器應用的N溝道結型場效應管)
中文描述: N溝道結硅場效應管,高頻低噪聲放大器的應用(低噪聲高頻放大器應用的?溝道結型場效應管)
文件頁數: 2/3頁
文件大小: 111K
代理商: 2SK2394
2SK2394
No.4839–2/3
相關PDF資料
PDF描述
2SK2395 N-Channel Junction Silicon FET for Low-Noise HF Amplifier Applications(低噪聲 HF放大器應用的N溝道結型場效應管)
2SK2418 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK2418L Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK2418S Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK2419 MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
2SK2394_12 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Junction Silicon FET Low-Noise HF Amplifi er Applications
2SK2394-6-TB-E 功能描述:JFET N-CH 15V 50MA CP RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> JFET(結點場效應 系列:- 標準包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關)@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS(開):200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應商設備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW
2SK2394-7-TB-E 功能描述:JFET NCH J-FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
2SK2395 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low-Noise HF Amp Applications
2SK2395F 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 50MA I(D) | SPAK
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