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參數(shù)資料
型號: 2SK2539-6
英文描述: Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
中文描述: 晶體管|場效應| N溝道| 10mA的我(直)|的SOT - 346
文件頁數(shù): 1/9頁
文件大小: 48K
代理商: 2SK2539-6
2SK2553(L), 2SK2553(S)
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-357H (Z)
9th. Edition
Feb. 1999
Application
High speed power switching
Features
Low on-resistance
R
DS(on)
= 7 m
typ.
High speed switching
4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Outline
3
2
1
4
3
2
1
4
LDPAK
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
D
G
S
相關PDF資料
PDF描述
2SK2539-7 TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 16MA I(DSS) | SOT-346
2SK2539-8 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK2552 2SK2552 Data Sheet | Data Sheet[01/2002]
2SK2555
2SK2556 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SK2539-7 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 16MA I(DSS) | SOT-346
2SK2539-8 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 25MA I(DSS) | SOT-346
2SK2541 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
2SK2541-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 50V 0.1A 3-Pin
2SK2542 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 8A Rdson 0.85 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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