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參數資料
型號: 2SK2576
英文描述: Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 250V五(巴西)直| 10A條(丁)|的SOT - 186
文件頁數: 1/9頁
文件大小: 48K
代理商: 2SK2576
2SK2553(L), 2SK2553(S)
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-357H (Z)
9th. Edition
Feb. 1999
Application
High speed power switching
Features
Low on-resistance
R
DS(on)
= 7 m
typ.
High speed switching
4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Outline
3
2
1
4
3
2
1
4
LDPAK
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
D
G
S
相關PDF資料
PDF描述
2SK2577 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | SOT-186
2SK2578 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK2579 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | SOT-186
2SK2580 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK2581 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-186
相關代理商/技術參數
參數描述
2SK2577 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | SOT-186
2SK2578 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-186
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