型號: | 2SK2592 |
英文描述: | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 250V五(巴西)直|第13A條(丁)|對262AA |
文件頁數: | 1/9頁 |
文件大小: | 48K |
代理商: | 2SK2592 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2SK2593P | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 1MA I(DSS) | SC-75A |
2SK2593Q | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
2SK2593R | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 5MA I(DSS) | SC-75A |
2SK2593S | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
2SK259H | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-3 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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2SK2593 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Junction FET |
2SK2593GQL | 功能描述:JFET N-CH 55V 30MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> JFET(結點場效應 系列:- 標準包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關)@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS(開):200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應商設備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
2SK2593JQL | 功能描述:JFET N-CH 55V 30MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> JFET(結點場效應 系列:- 標準包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關)@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS(開):200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應商設備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
2SK2593P | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 1MA I(DSS) | SC-75A |
2SK2593Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 2MA I(DSS) | SC-75A |