- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄357255 > 2SK259H TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-3 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK259H |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-3 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 350V五（巴西）直| 5A條（?。﹟至3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | 2SK259H |
2SK2553
4
100
75
50
25
0
C
50
100
150
200
Case Temperature Tc (°C)
Power vs. Temperature Derating
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
500
200
100
20
50
10
2
1
5
0.5
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Operation in
this area is
limited by R
DS(on)
Ta = 25 °C
10μs
100μs
1ms
DCOpeaion(T =25C
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10 μ
100 μ
1 m
10 m
Pulse Width PW (S)
N
100 m
1
10
s
γ
DM
P
PW
T
D =T
ch – c = 1.67 °C/W, Tc = 25 °C
θ γ θ
θ
Tc = 25°C
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK260H | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK2833 | TERMINAL |
| 2SK2833-R | Power MOSFET |
| 2SK3151 | 0.025 ohm, POWER, FET |
| 2SK3591-01MR | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2601 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 10A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2601(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 500V 10A 1@10V TO3P(N) Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 500V 10A TO-3PN |
| 2SK2602 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2602(F,T) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 600V 6A Rdson 1.25 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK2603 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 800V 3A 3PIN TO-220 - Rail/Tube |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。