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參數資料
| 型號： | 2SK2618LS |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | N- Channel MOS Silicon FET Very High-Speed Switching Applications |
| 中文描述： | N溝道場效應管馬鞍山硅超高速開關應用 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 9K |
| 代理商： | 2SK2618LS |
960329TM2fXHD
2SK2618LS
N- Channel MOS Silicon FET
Very High-Speed Switching Applications
Absolute Maximum Ratings / Ta=25
°
C
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (Pulse)
Allowable power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Electrical Characteristics / Ta=25
°
C
Drain to Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
Static Drain to Source
on State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
Switching Time Test Circuit
TENTATIVE
Case Outline
TO-220FI(LS)
Features and Applications
Low ON-state resistance.
Low Qg
SANYO Electric Co., Ltd. Semiconductor Business Headquarters
TOKYO OFFICE Ttokyo Bldg., 1-10,1 Chome, Ueno, taito-ku, 110 JAPAN
50
P.G
2SK2618LS
S
G
D
VOUT
VDD=200V
ID=3A
RL=66.7
PW=1
μ
S
D.C.
≤
0.5%
VGS=15V
RGS
Specifications and information herein are subject to change without notice.
3
7
1
1
3
10.0
0.9
1.2
1
0.75
4.5
2.8
0
0.7
2
2.55
2.55
1
2
3
φ
3.2
500
±
30
5
20
30
150
--55 to +150
V
V
A
A
W
°
C
°
C
min typ max unit
500
3.5
1.5
V
mA
nA
V
S
pF
pF
pF
nC
ns
ns
ns
ns
V
(Tc=25
°
C)
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
Tch
Tstg
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(off)
| yfs |
RDS(on)
Ciss
Coss
Crss
Qg
td(on)
tr
td(off)
tf
VSD
ID=1mA , VGS=0
VDS=500V , VGS=0
VGS=
±
30V , VDS=0
VDS=10V , ID=1mA
VDS=10V , ID=3A
ID=3A , VGS=15V
VDS=20V , f=1MHz
VDS=20V , f=1MHz
VDS=20V , f=1MHz
VDS=200V , ID=5A
GS=10V
See Specified Test
Circuit
IS =5A , VGS = 0
unit
3.0
0.95
700
250
120
20
20
20
50
25
1.0
±
100
5.5
1.25
1.2
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-oFF Delay Time
Fall Time
Diode Forward Voltage
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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