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參數資料
| 型號： | 2SK2621 |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 12 A, 500 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3PB |
| 封裝： | SC-65, TO-3PB, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 128K |
| 代理商： | 2SK2621 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2622 | 14 A, 500 V, 0.52 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3PB |
| 2SK2624LS | 3 A, 600 V, 2.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2629 | 10 A, 600 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3PB |
| 2SK2636 | 7 A, 800 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3PB |
| 2SK2635 | 5 A, 800 V, 2.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3PB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK2623-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:Nch 600V 1.5A 5.5@10V TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 600V 1.5A TP-FA |
| 2SK2624ALS | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 3.5A TO-220FI RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2625ALS | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO-220FI RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2628ALS | 制造商:SANYO 功能描述:MOSFET,N CH,600V,7A,TO-220FI Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFETN CH600V7ATO-220FI |
| 2SK2631-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:Nch 800V 1A 10@10V TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 800V 1A TO251 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
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