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參數(shù)資料
型號: 2SK2735L
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
中文描述: 硅?通道場效應(yīng)晶體管高速電源開關(guān)
文件頁數(shù): 1/7頁
文件大小: 39K
代理商: 2SK2735L
2SK2735(L), 2SK2735(S)
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-543
1st. Edition
Features
Low on-resistance
R
DS
= 20 m
typ.
High speed switching
4V gate drive device can be driven from 5V source
Outline
12
3
4
4
12
3
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
DPAK–2
D
G
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK2735S Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK2735 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
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參數(shù)描述
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2SK2740 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FN RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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