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參數資料
| 型號： | 2SK2788 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | MICROPAK-3 |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 41K |
| 代理商： | 2SK2788 |
2SK2788
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-538
1st. Edition
Features
Low on-resistance
R
DS(on) = 0.12 typ (VGS = 10 V, ID = 1 A)
Low drive current
High speed switching
4V gate drive devices.
Outline
1
2
3
4
UPAK
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
D
S
G
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2788 | SMALL SIGNAL, FET |
| 2SK278 | 7 A, 400 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2798 | 6 A, 350 V, 0.83 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK2825 | 100 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SK2834-01P | 9 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK2788VYTR-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 2A 4-Pin(3+Tab) UPAK T/R Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Nch MOSFET,60V,2A,0.12ohm,UPAK 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 2A 4-Pin(3+Tab) UPAK T/R |
| 2SK2789(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin (3+Tab) TO-220FL/SM |
| 2SK2789-SM(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SK2792 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO-220FN RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2793 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FN RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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