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參數資料

相關PDF資料	PDF描述
2SB647ATZ	1000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1978RF	1500 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD787TZ	2000 mA, 16 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4264GC	Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SK1697EYTR	0.5 A, 60 V, 2.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

相關代理商/技術參數	參數描述
2SK2789(Q)	制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin (3+Tab) TO-220FL/SM
2SK2789-SM(Q)	制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
2SK2792	功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO-220FN RoHS:是類別:分離式半導體產品 >> FET - 單系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK2793	功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FN RoHS:是類別:分離式半導體產品 >> FET - 單系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK2796-L(E)	制造商:Renesas Electronics 功能描述:60V 5A DPAK-3 制造商:Renesas Electronics 功能描述:60V 5A DPAK-3 Bulk

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