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參數資料
| 型號： | 2SK2788VYUR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 2 A, 60 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 100K |
| 代理商： | 2SK2788VYUR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD666ATZ | 50 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5136TI-UR | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC461RR | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SK1215IGE | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, FET |
| 2SK2113YY-UL | UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| 2SK2789-SM(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SK2792 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO-220FN RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2793 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FN RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2796-L(E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:60V 5A DPAK-3 制造商:Renesas Electronics 功能描述:60V 5A DPAK-3 Bulk |
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