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參數資料
| 型號： | 2SK2796S |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 71K |
| 代理商： | 2SK2796S |
2SK2796(L), 2SK2796(S)
5
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
2
4
6
8
10
0.1
3
100
0.3
30
5
2
1
0.2
0.5
0.1
0.05
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
–40
0
40
80
120
160
0
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
10
5
1
2
0.2
0.5
0.1
10
1
I = 5 A
V = 4 V
10 V
1, 2 A
I = 5 A
2 A
1 A
V = 4 V
10 V
1 A
2 A
5 A
25 °C
Tc = –25 °C
75 °C
Gate to Source Voltage V (V)
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
V
D
D
Drain Current I (A)
D
R
D
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
Case Temperature Tc (°C)
R
D
S
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
Drain Current I (A)
F
f
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
Pulse Test
Pulse Test
Pulse Test
V = 10 V
Pulse Test
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2797 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK2735(L) | |
| 2SJ2735(S) | |
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| 2SK2796(S) | |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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