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參數資料
| 型號： | 2SK2885(S) |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 0.025 ohm, POWER, FET |
| 封裝： | LDPAK-3 |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 36K |
| 代理商： | 2SK2885(S) |
2SK2885(L), 2SK2885(S)
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-545 A
2nd. Edition
Features
Low on-resistance
R
DS(on) = 10m typ.
4V gate drive devices.
High speed switching
Outline
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
1
2
3
4
1
2
3
4
LDPAK
G
D
S
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2910 | 800 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SK2916 | 14 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2918-01MR | 20 A, 200 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK2928 | 15 A, 60 V, 0.105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK2931-E | 45 A, 60 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK2886(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 50V 45A 0.02@10V TO220NIS Bulk |
| 2SK2887TL | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET SURF MOUNT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK2889(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 600V 10A 0.75@10V TO220FL Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220FL |
| 2SK2889-SM(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SK2890-01MRSC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
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