- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄351754 > 2SK2912(L) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SK2912(L) |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 58K |
| 代理商： | 2SK2912(L) |
2SK2957(L),2SK2957(S)
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-567D (Z)
5th. Edition
Jul. 1998
Features
Low on-resistance
R
DS(on) = 7m typ.
4V gate drive devices.
High speed switching
Outline
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
1
2
3
4
1
2
3
4
LDPAK
G
D
S
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2912(S) | |
| 2SK2925(L) | |
| 2SK2925(S) | |
| 2SK2926(L) | |
| 2SK2926(S) | |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK2912L-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK2912S(TR-E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK2914 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 250V 7.5A 3PIN TO-220 - Rail/Tube |
| 2SK2914(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 250V 7.5A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 250V 7.5A TO-220AB |
| 2SK2915 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。