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參數資料
| 型號： | 2SK2912(S)TR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 40 A, 60 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | 2SK2912(S)TR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2957(S)TL | 50 A, 30 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SC1906TZ | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SJ278MYUL | 1 A, 60 V, 1.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ484WYTL | 2 A, 30 V, 0.45 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SD789RR | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK2914 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 250V 7.5A 3PIN TO-220 - Rail/Tube |
| 2SK2914(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 250V 7.5A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 250V 7.5A TO-220AB |
| 2SK2915 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2915(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bulk |
| 2SK2915(Q,T) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 600V 16A Rdson 0.4 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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