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參數資料
型號: 2SK2960
文件頁數: 1/11頁
文件大小: 58K
代理商: 2SK2960
2SK2957(L),2SK2957(S)
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-567D (Z)
5th. Edition
Jul. 1998
Features
Low on-resistance
R
DS(on) = 7m typ.
4V gate drive devices.
High speed switching
Outline
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
1
2
3
4
1
2
3
4
LDPAK
G
D
S
相關PDF資料
PDF描述
2SK298 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-3
2SK2982 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK2982-Z TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-252AA
2SK2988 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK299 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-3
相關代理商/技術參數
參數描述
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2SK2961(F) 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 60V 2A 0.27@10V TO92MOD Bulk 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 2A 3-Pin TO-92 Mod
2SK2961(F,M) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 2A 3-Pin TO-92 Mod 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A TO-92
2SK2961(TE6,F,M) 功能描述:MOSFET N-ch 60V 2A 0.27 ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2SK2961(TE6,M) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 2A 3PIN TO-92 MOD - Tape and Reel
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