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參數資料
| 型號： | 2SK301 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | SI N CHANNEL JUCTION |
| 中文描述： | 30 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 封裝： | SC-43, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 212K |
| 代理商： | 2SK301 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK316 | SI N CHANNEL JUCTION |
| 2SK2489 | VZ Series Power MOSFET(180V 10A) |
| 2SK2490 | VZ Series Power MOSFET(180V 10A) |
| 2SK2491 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 2SK2492 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK3012 | 制造商:SHINDENGEN 制造商全稱:Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd 功能描述:VX-2 Series Power MOSFET(600V 12A) |
| 2SK3013 | 制造商:SHINDENGEN 制造商全稱:Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd 功能描述:VX-2 Series Power MOSFET(600V 16A) |
| 2SK3017 | 功能描述:MOSFET N-CH 900V 8.5A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3017(F) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 900V 8.5A Rdson 1.25 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK3017_06 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS Type DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications |
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