欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: 2SK3062-ZJ
廠商: NEC Corp.
元件分類: MOSFETs
英文描述: Switching N-channel power MOS FET industrial use
中文描述: N溝道 開關功率場效應晶體管 工業級
文件頁數: 5/8頁
文件大小: 69K
代理商: 2SK3062-ZJ
Data Sheet D13101EJ1V0DS00
5
2SK3062
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
T
ch
- Channel Temperature - C
R
D
m
0
50
5
0
50
100
150
I
D
= 35
A
10
20
15
V
GS
= 4.0
V
10
V
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
I
S
0.1
0
1
10
100
0.5
Pulsed
1
1.5
0
V
V
GS
= 4.0
V
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
C
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
V
= 0 V
f = 1
MHz
C
iss
C
oss
C
rss
SWITCHING CHARACTERISTICS
I
D
- Drain Current - A
t
d
,
r
,
d
,
f
0.1
10
100
1000
10000
1
10
100
V
DS
= 30
V
V
GS
= 10
V
R
G
= 10
t
d(off)
t
d(on)
t
r
t
f
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
I
F
- Drain Current - A
t
r
di/dt
=
100
A
/
V
GS
=
0 V
μ
s
1
0.1
10
1
10
100
1000
100
V
G
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
80
Q
G
- Gate Charge - nC
V
D
0
25
50
75
100
20
40
60
2
4
6
8
0
V
DD
= 12 V
30 V
48 V
12
14
16
10
I
D
= 70
A
相關PDF資料
PDF描述
2SK3062-S Circular Connector; Body Material:Aluminum; Series:PT06; Number of Contacts:3; Connector Shell Size:8; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Circular Contact Gender:Pin; Insert Arrangement:8-3
2SK30651000 Small switching (60V, 2A)
2SK3065T100 Small switching (60V, 2A)
2SK3070S Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK3110 Switching N-channel power MOS FET industrial use
相關代理商/技術參數
參數描述
2SK3064 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET
2SK306400L 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A S-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3064G0L 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A S-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3065 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Silicon N-Channel MOSFET
2SK30651000 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Small switching (60V, 2A)
主站蜘蛛池模板: 兴仁县| 汾西县| 高安市| 琼海市| 台江县| 拜城县| 海阳市| 资阳市| 团风县| 石泉县| 太谷县| 徐水县| 昌吉市| 伊川县| 荣成市| 河北区| 玛多县| 大田县| 宝鸡市| 鸡西市| 崇左市| 康马县| 屏东市| 龙岩市| 来凤县| 三河市| 棋牌| 迁安市| 开封县| 若羌县| 平罗县| 凌云县| 中方县| 镇雄县| 白朗县| 郧西县| 桐乡市| 山西省| 石泉县| 丹阳市| 德令哈市|